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Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MESFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem n-Kanal-JFET, jedoch tritt an die Stelle des p-dotierten Gates ein Gate aus Metall. Dadurch bildet sich anstatt eines p-n-Übergangs ein Metall-Halbleiter-Übergang (Schottky-Übergang) aus, denn das Metall des Gates berührt nun direkt das Halbleitermaterial.

Durch den sehr ähnlichen Aufbau und Funktionsweise besitzt der MESFET nahezu dieselben Eigenschaften eines n-Kanal-JFETs:

Vorteil des MESFET ist, dass durch den angrenzenden Schottky-Übergang die Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal ungefähr doppelt so groß ist wie bei MOSFETs. Dadurch sind größere Ströme bei gleichen Abmessungen, sowie höhere Arbeitsfrequenzen möglich.

Anwendung finden MESFETs (vor allem GaAs-MESFETs) als Mikrowellentransistoren in Hochfrequenzverstärkern. Außerdem werden sie in sehr schnellen Logikschaltungen (Gigabitlogik) eingesetzt.

Literatur